半导体级超纯臭氧气体发生器

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概要：

采用高浓度、超纯净、深度精细工艺的臭氧实现技术是该发生器实现的基础。臭氧被电子工业用于形成CVD及ALD薄膜、氧化物生长、光刻胶去除和多种清洁应用。

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产品描述

概要：
采用高浓度、超纯净、深度精细工艺的臭氧实现技术是该发生器实现的基础。臭氧被电子工业用于形成CVD及ALD薄膜、氧化物生长、光刻胶去除和多种清洁应用。

产品描述：
CFB-ODST/SN型系列发生器能够产生高浓度、大流量、高压力的超洁净臭氧气体，整体模块化设计，结构紧凑，操作便捷、可视化外观。
♦ 臭氧响应速度快，臭氧浓度高，浓度高达300mg/L以上；
♦ 臭氧输出压力范围宽，压力满足1.0-2.5bar区间运行；
♦ 一定宽度气体流量0.5-30slm使用，实现工艺应用灵活；
♦ 采用超纯发生技术与超纯材料及工艺制造，避免、减少金属污染及析出；
♦ 水冷型，可选型氮气掺加技术；
♦ 内部集成流量、压力，臭氧检测等各类相关仪表（可选）；
♦ 获得自主专利的臭氧专用结构设计，保证系统性能更稳定。

规格参数	CFB-ODST/SN系列
额定臭氧流量（slm）	0.7	2	5	10
额定臭氧浓度（mg/L）	300	300	300	300
O₂流量范围（slm）	0.5-2	0.7-5	5-30	5-30
臭氧浓度调节范围（mg/L）	200-350	200-350	200-300	200-350
N₂流量（slm）	100-500ppm O2	100-500ppm O2	100-500ppm O2	100-500ppm O2
吹扫气（CDA）（slm）	≥2.0	≥2.0	≥2.0	≥2.0
冷却水量（L/min）	约1.2-3	约4-8	约10-14	约18-22
通讯接口	DB25	DB25	DB25	DB25
电压V（可选）	208VAC（±5%）3P/ 220VAC（±5%）1P	208VAC（±5%）3P/ 220VAC（±5%）1P	208VAC（±5%）3P	208VAC（±5%）3P

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