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半导体级超纯臭氧气体发生器
分类：
产品展示
概要：
ODST/S1N、DTCT/SN系列臭氧发生器能够产生高浓度、大流量、高压力的超洁净臭氧气体，整体模块化设计，结构紧凑，操作便捷、可视化外观。
意向提交产品描述
ODST/S1N、DTCT/SN系列臭氧发生器能够产生高浓度、大流量、高压力的超洁净臭氧气体，整体模块化设计，结构紧凑，操作便捷、可视化外观。
♦臭氧响应速度快，臭氧浓度高，浓度高达400g/Nm3以上；
♦臭氧输出压力范围宽，压力满足15-45psi区间运行；
♦一定宽度气体流量使用，实现工艺应用灵活；
♦采用超纯发生技术与超纯材料及工艺制造，避免、减少金属污染及析出；
♦水冷型，可选型氮气掺加技术；
♦内部集成流量、压力，臭氧检测等各类相关仪表（可选）；
♦获得自主专利的臭氧专用结构设计，保证系统性能稳定性。
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